战，需要整个产业链的参与支持。

    实现存算一体的技术路径主要有以下三个：技术较成熟的是近存计算，利用先进封装技术把计算逻辑芯片和存储器封装到一起，通过减少内存和处理单元的路径，以高 I\/o 密度来实现高内存带宽以及较低的访问开销。近存计算主要通过 2.5d、3d 堆叠来实现，广泛应用在各类 cpU 和 GpU 上；近期投资热度较高的是存内计算，通过传统的存储介质如dRAm、SRAm、NoR Flash、NANdFlash 来实现。计算操作由位于存储芯片\/ 区域内部的独立计算单元完成，更适用于算法固定的场景；技术尚处于探索期的是基于非易失性存储器技术做的新型存储原件，比如通过忆阻器 ReRAm 电阻调制来实现数据存储。其他如相变存储器(pcm)、自旋磁存储器 (mRAm) 等，也作为存算一体新的技术路径。存算一体的计算方式分为数字计算和模拟计算。数字计算主要以SRAm 作为存储器件，具有高性能、高精度的优势，更适合大算力高能效场景。模拟计算通常使用 FLASh、ReRAm 等非易失性介质作为存储器件， 存储密度大，并行度高，更适合小算力， 计算精度要求不高的场景。

    目前，存算一体已经在产业细分领域掀起了创业浪潮，并受到投资界和产业界的关注和投入。存算一体在技术上向着高精度、高算力和高能效的方向发展。在资本和产业双轮驱动下，基于 SRAm、NoR Flash 等成熟存储器的存内计算将在垂直领域迎来规模化商用，小算力、低功耗场景有望优先迎来产品和生态的升级迭代，大算力通用计算场景或将进入技术产品化初期。基于非易失性、新型存储元件的存算一体依赖于工艺、良率的提升, 走向成熟预计需要 5-10 年。

    注:（免责申明）本文仅为个人笔记，内含个股仅仅是作为分析参考，不能作为投资决策的依据，不构成任何建议，据此入市风险自担。股市有风险，投资需谨慎！

    知音难觅，也是人生常态，一曲众寡，尽管少有人懂，但是我自有我的风采

    见者点赞，腰缠万贯！股运长虹，感谢诸君关注.点赞.评论.转发！>> --