第124章133134章：震惊，高老板居然可

    第124章133-134章：震惊，高老板居然可以玩这个！（第二和第三更）

    待李宗霖过来后，高怀钧说道，“mate2手机的射频芯片现在购买起来，拥有一定的困难，上次我和你说的成立射频芯片公关小组，现在工作进展到什么程度了？我需要这款射频芯片，在mate2出来之前，能够量产！”

    闵伟国听到高怀钧说的，不由得震惊了！

    想不到高怀钧提前了几个月，就考虑到了3G射频芯片的工作。

    难道他未卜先知，知道华国要上3G网络？

    不可能啊！

    这种消息一般都会被捂着严严实实的，就算是内部人士，核心决策的两三人，其他都只能知道一鳞半爪。

    他是怎么知道的？

    太神奇了！

    “高总，射频芯片您给我的一些思路我整理了！”

    “现在的关键的还是工艺及封装的物理限制或者模型的不准确性导致的难题。射频芯片最重要的指标是噪声系数和线性度，这两个指标和工艺完全相关，例如cmos工艺衬底上就会耦合过来各种噪声干扰，cmos器件的线性度也很差，这种难题是硬伤，没办法解决，只能通过合适的电路结构或者采取一些无法定量分析的隔离措施来缓解问题，这就存在很多不确定性了。”

    李宗霖摇了摇头，缓缓解释了目前射频芯片组的研发的情况。

    在07年，由于刚刚开启3G网络的建设，对于这个网络的使用，大家伙都是摸着石头过河，所以虽然高怀钧指出了一定的方向，但关键的射频芯片研发，还是靠从几个核心科研所挖来的技术人才，以及一个美丽国回来的射频大牛来组织研发。

    不管是在华国，还是在美丽国，其实芯片都没有像后世那样炙手可热，基本上都是一些边缘性人才才会深入研发。

    像华国一些相关科研所，一些资深的技术人才，月工资只有2000来块钱，低得匪夷所思，所以高怀钧挖人也是一挖一个准。

    漂亮的钞票砸下去，就是那么简单而直接。

    “我觉得你可以从两个方向尝试进行解决！”

    “一个是，如果是晶体管高频放大器问题，可以采用沃尔曼电路结构，用于消除晶体三极管自身极间寄生电容的影响。或者原来是共发射极放大电路，改成共基极电路。一旦电路类型改变，其它参数也会改变，例如输入和输出阻抗就不一样了，增益也不一样了，需要重新调整参数。”

    “二个是，有源器件的选择，要跟所要放大的信号频率匹配，那么要采用特征频率ft更高的晶体管；如果是用运算放大器，就选择转换速率更高、增益带宽乘积更大的型号，用来拓宽频率上限。”

    高怀钧调动起脑海中有限的几个以前>> --