不过杨刚省的担忧，在周瑜的讲述之后，很快就散去了不少。

    “光刻胶这个材料，虽然极其重要，但是必须综合评价各性能指标与客户需求匹配性。

    在我了解的情况当中，光刻胶厂商在一个型号或者一个系列的光刻胶目录下，有十几个甚至几十个品种，以满足不同客户的需求。

    因此光刻胶性能好坏并不能简单的以各个指标的绝对值进行判断，还须经过充足的光刻工艺评估，符合客户需求的，才是最优秀的材料，所以我们不仅需要开发光刻胶，还需要足够了解光刻胶的成员与各芯片代工企业沟通，知道材料的偏性。

    而且按照光照后显影时与显影液产生的化学反应划分，它还可以分为正胶与负胶。正胶的光敏成分在光照下会分解成为短链结构，从而在显影环节中会被显影液去除，因此在光线照到的区域，会被显影液去除，在蚀刻过程中光照到的区域会被等离子化气体蚀刻去除，最终留下的图样是曝光工序中光线所没有照到的区域。

    负胶与正胶的图形转移过程找好相反。聚合物的短链分子在光照条件下发生聚合反应，形成难以被显影液除去的聚合体系，未被光照的区域光刻胶被去除，在后续的刻蚀中被移除，形成与掩模板上相反的结构。

    对于正胶与反胶而言，虽然进入duv时代以后，正胶成为了绝对的主流，但这并不意味着负胶的性能落后于正胶。

    不过现在euv光刻机进入真正的高端代工产业，台积电肯定要解决光源强度不足的问题，化学放大光刻胶或将成为主流。

    化学放大型光刻胶主要组分摆阔成膜树脂、光致产酸剂、添加剂、溶剂。

    由于化学放大型光刻胶的量子效率远远高于其他体系，因此化学放大反应也几乎成为了深紫外时代以来光刻胶配方设计的唯一路线。

    杨刚省主管曾经在台积电的光刻胶项目工作过，不过现在已经过了竞业协议期，并且参与的也是新技术开发，所以，您愿意带领团队，继续在光刻胶这个>> --