“抛光的时候，下盘在电动机的带动下转动，粘有硅片的平板可绕本身的轴转动，保证了抛光的均匀。

    从下盘的中-央注入抛光液，也是我们研发的自主专利技术产品，抛光液可以在离心力作用下向周围散开。

    在抛光过程中，旁边的测温仪会精准控制盘温，在摩擦产生的热量的促进下，抛光液中的oh-根使硅片表面氧化，同时抛光液中的抛光粉颗粒将氧化层磨去，从而起到了将硅片表面逐渐抛光的作用。”

    李毅风简单讲了一下他们确定的抛光工艺流程。

    与光刻胶不同，抛光工艺考的就是一个材料精密和胆大心细，所以周瑜并没有过多深入这个项目，而是在给了技术参数相关文件之后，就当起了甩手掌柜。

    “按照您给出的文件标准，晶圆需要经过边缘粗抛和表面精抛两次加工处理，其表面才能达到芯片制造的工艺要求。

    但是在实际实验的过程中，我们发现国外那个实验室这样做的原因其实是对成本的取舍。

    边缘抛光的目的是去除硅片表面残留的机械损伤，降低微粒附着于晶圆的可能性，并使晶圆具有较佳的机械强度，以降低因碰撞而产生碎片的可能性，我们将边缘抛光的时间拉长，并且增加了更精密的压力传感器之后，已经够达到从晶圆表面去除20um（微米）到10um（微米）左右厚度的技术标准?

    第二次精抛，目的是去除第一次抛光在硅片表面留下的轻微损伤和云雾状缺陷，这一个流程非常难处理，后续我们也是找设备研发部门，花费巨资购买了一台抛光机，拆分研究，逆向工程之后，才发现了其中奥秘。

    最终的抛光步骤并不是只有一层抛光那么简单。

    我们需要进行化学腐蚀和机械摩擦的结合，晶圆被装在旋转的抛光头上，下降到抛光垫的表面以相反的方向旋转，我们研发的二氧化硅抛光液必须要悬浮在适度的含氢氧化钾或氨水的腐蚀液中，滴到抛光垫上，让碱性抛光液在晶圆表面生成一薄层二氧化硅。

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