“这叫加压固态再结晶法，晶粒长大的主要驱动力来自快速淬火后形成的多晶的界面能。”

    这话听得俞允成有点懵，但是先不管那么多，高振东给出了解释，自己回去再翻书就好，虽然不一定能翻得到。

    见高振东这么笃定，俞允成对于这个理论的可信度还是比较乐观的，至少这个听起来比较奇怪的方法，不是完全没有理论依据，虽然这个理论暂时他还不怎么明白，但是好像至少高振东是明白的。

    见他已经至少是接受了这种方法的原理，高振东才给他说起细节。

    “退火结单晶的时候，其实和‘拉’这个动作已经没什么关系了，之所以选择这個办法，主要原因就是它不需要结晶控制机构，对温度控制精度的要求也不是太高。”

    这对于俞允成来说倒是意外之喜，拉硅单晶的时候跟伺候生孩子似的。

    温度高了不行，低了不行；温度梯度大了不行，小了不行；拉快了不行，拉慢了也不行；坩埚转快了不行，转慢了还是不行

    听见这种方法不需要结晶控制，他顿时觉得天都亮了，这个方法选得好啊。

    然后他就听见了一个不那么美妙的消息，正如高振东前面所说，这玩意非常耗时。

    他需要将快速淬火后定向凝固的晶锭装在退火炉，或者叫再结晶炉里，烧上七七四十九.不对，30~45天。

    这个退火炉实际上就是刚才高振东给他说的那个加压不锈钢炉。

    “这个过程可以消除微观层面上的组分梯度，并且消除你已经观察到的枝蔓状结构，晶粒长大形成单晶体。这个过程中，反应管或者说碲汞镉化合物的温度，要一直处在其熔点附近，但是要求比熔点低一些，10度的样子，但是不需要控制得非常精确。”

    就这？没了？

    俞允成感到非常出乎所料，这玩意就这样就行了？没有别的要求。

    听了他的问题，高振东笑道：“对啊，没有别的要求，时间到了停下来就行，时间其实可以适当优化，但是现在我们是在做研究，所以要求你每过5天，就取出一部分样品进行检测，摸一下时间与晶体生长之间的对应关系。现在我们技术环境差，条件也不足，我觉得这个办法是最好的了，要求简单，晶体利用率也高，组分还很均匀。”

    这几个特点，都是当前环境下的最优解，晶体利用率高，才能降>> --