的对齐，因为是第一次刻，严格对齐是套刻的事情，如果是套刻，还需要对齐套刻标记。

    接下来就是曝光、显影，听起来和胶片机摄影差不多，实际上原理也基本上一致。

    显影完毕，马娟开始用显微镜检查成像质量，耗时很长，估计她的眼睛都花了，最终她抬起头，面带喜色的向高振东点了点头。

    这次的掩模，是工艺测试用标准掩模，看她这个样子，至少分辨率10μm是没问题了。

    “高师兄，和我们以前测试的一样，线宽10μm没有问题，很稳定。”

    如果成像质量有问题，那就得将硅片取出来，洗去光刻胶，准备从头再来。

    这年头，硅片很贵的，不能浪费，哪怕是到了几十年后，硅片没那么贵了，但还得洗，如果问题出在工艺的中后期的光刻道次上，前面的工艺也贵啊！高振东心中激动，向她点点头，示意继续。

    接下来按照正常的集成电路工艺，应该是送到其他工序去，根据光刻目的的不同，进行诸如蚀刻、掺杂、离子注入、金属去除等，但是这是测试光刻机的分辨率和套刻精度，这工序就不用做了，而且也没法做，这儿没那些东西。

    比如蚀刻，看起来简单，腐蚀就行，但实际上背后靠着一整条比较特殊的安全管理线，这边也建立一条那玩意，就搞麻烦了，又不是经常要用到。

    就更别提掺杂这些需要设备的工序了，更是没法做。

    考虑到显影之后，光刻胶就只剩下了需要的那一部分，试验人员的想法，是再上一次光刻胶，看看两次光刻显影结果的重叠程度。

    这也算是个笨办法，如果这种情况下，旧光刻工艺的残余物影响到新一次的光刻胶附着，导致试验效果不好的话，再考虑光刻——送1274蚀刻——光刻这个试验流程。

    光是线宽10μm，其实光刻机的制程是到不了10μm的，因为决定光刻机制程的，还有其他参数，其中很重要的一个就是套刻精度，也正是今天高振东最终要测试的东西。

    凡是做集成电路，哪怕工艺简单如PMOS，都是需要套刻的，因为一次光刻连晶体管都做不出来，更别说形成完整电路了。

    (本章完)>> --